Adafruit N-kanavainen teho-MOSFET

Kun sinun on kytkettävä paljon tehoa, N-kanavaiset MOSFETit ovat suorituskykyisiä. Nämä FETit kestävät yli 60 A ja 30 V, ja ne on sijoitettu TO-220-koteloihin, jotka helpottavat integrointia mihin tahansa koekytkentälevyyn tai perflevyyn. Niiden rakenne varmistaa tehokkaan lämmönpoiston myös suurilla kuormilla.

Erittäin alhaisen, jopa 0,009 ohmin Rds(on)-arvon ansiosta nämä MOSFETit voivat toimia ilman jäähdytyselementtiä suurilla kuormilla. Kynnysjännite on alle 2,5 V, mikä mahdollistaa suoran ohjauksen mikrokontrollereilla, jotka toimivat 2,8 V, 3,3 V tai 5 V logiikalla. TO-220-kotelo voi haihduttaa jopa 2 wattia ilman lisäjäähdytystä huoneenlämmössä.

Jopa 9 milliohmin Rds-resistanssin ansiosta ne tukevat vähintään 15 ampeerin kytkentää ilman jäähdytyssiiliä ja jopa enemmän PWM-tekniikalla. Tarkkojen laskelmien tekemiseksi suositellaan vertailumateriaalien käyttöä.